参数 | 符号 | 范围 | 单位 |
电压电压 | VDD | +3.3~+7.5 | V |
逻辑输入电压 | VI | -0.5~VDD+0.5 | V |
工作温度 | Topt | -40~+80 | ℃ |
储存温度 | Tstg | -65~+120 | ℃ |
ESD耐压 | VESD | 4K | V |
参数 | 符号 | **小 | 典型 | 比较大 | 单位 | 测试条件 |
芯片内部电源电压 | VDD | --- | 5.2 | --- | V | --- |
R/G/B端口耐压 | VDS,MAX | --- | --- | 17 | V | --- |
比较大LED输出电流 | Iomax | --- | --- | 18 | mA | ---- |
时钟高电平宽度 | TCLKH | --- | --- | >30 | ns | --- |
时钟低电平宽度 | TCLKL | --- | --- | >30 | ns | --- |
数据建立时时间 | TSETUP | --- | --- | >10 | ns | --- |
PWM频率 | FPWM | --- | 1.6 | --- | KHZ | --- |
静态功耗 | IDD | --- | 1 | --- | mA | --- |
T0H | 0码, 高电平时间 | 0.35µs | ±0.150ns |
T0L | 0码, 低电平时间 | 1.36µs | ±0.150ns |
T1H | 1码, 高电平时间 | 1.36µs | ±0.150ns |
T1L | 1码, 低电平时间 | 0.35µs | ±0.150ns |
WT | 等待处理时间 | 12µs | ±0.150ns |
RES | Reset码,低电平时间 | 50µs | |
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